（2017）“微电子 + 二维材料”研讨会 国际半导体技术发展路线图（ITRS）2016 年发布报告（ITRS 2.0）指出：传统芯片尺寸到 2021 年将不再缩小，将关注 3D 芯片等其他新的技术增强计算性能。高度集成芯片意味着它需要的处理器不仅是逻辑和缓存，也包括内存、功率调节、GPS 模拟组件、电池以及 Wi-Fi 无线通信等。半导体微电子的短期与长期发展面临众多挑战：硅基 CMOS、DRAM、SRAM 和高密度非易失存储尺寸进一步缩小，高迁移率沟道材料的实现，先进多栅结构的实现，新存储结构的研发与实现，新器件、结构和材料的可靠性，功耗下降以及多种功能的集成等。 石墨烯、过渡金属硫族化合物（TMDs）、h-BN、黑磷、硅烯等二维原子晶体层状材料具有独特的光电特性，比如石墨烯的极高载流子迁移率和热导性能等，TMDs 的能谷、自旋电子态等物性，原子级平整的 h-BN 的电绝缘性，黑磷材料随层数变化的能隙可调性、各项异性、旋光性等，硅烯的量子自旋霍尔效应等。二维材料在信息、微纳电子等方面具有潜在的应用前景，对其特性进行操控，可开发出新型的电子学、光电子器件；二维材料的平面特征，使其更易于集成于现有的半导体工艺技术。 值此浙江大学信息与电子工程学院 60 年院庆之际，针对将二维材料的独特的光电特性融合于半导体未来技术的发展，浙江大学“浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室”和浙江大学校级超净实验室“微纳制造与研究中心” 定于 2017 年 4 月 21 日-23 日在浙江大学召开 “IEEE EDS Hangzhou Chapter Microelectronics + 2D Materials Workshop” (IEEE EDS 学会杭州分会“微电子 + 二维材料”专题研讨会)，采用专家主题演讲和互动交流等方式进行广泛、深入的研讨和交流。本次研讨会研讨的主题主要包括：（1）半导体技术发展面临的挑战和未来发展方向，（2）高品质二维材料的可控制备和基本物性，（3）二维材料光电子器件及其与半导体技术的集成等。会议地点：杭州浙江大学玉泉校区研讨会召集人：徐明生 浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室浙江大学微纳制造与研究中心（微纳加工中心） 2017 年 3 月 18 日
