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浙江大学盛况教授团队6篇论文入选ISPSD’2018,在宽禁带半导体领域位列国际第一 [来源]:          [作者]:           [日期]:2018-01-12          [访问次数]:1803    

       新年伊始,2018年ISPSD论文评审圆满落下了帷幕。在本次论文评审中,浙江大学电力电子器件实验室(PEDL)盛况教授团队在宽禁带半导体器件(主要包括氮化镓和碳化硅)领域共有6篇论文入选,其中包含2篇口头(oral)报告和4篇张贴(poster)报告,入选论文数量在该领域位列国内外第一。除了浙江大学以外,日本日立公司和电子科技大学在该领域各有3篇论文入选,美国北卡州立大学、瑞士洛桑联邦理工、意大利那不勒斯费德里克二世大学及瀚薪科技公司均以2篇文章紧随其后,德国英飞凌、美国科锐、日本松下等公司,我国香港科技大学、东南大学、中山大学、中科院微电子所、英诺赛科(珠海)公司等也分别有论文入选。值得一提的是,浙江大学在本次宽禁带器件领域碳化硅和氮化镓两个类别中分别有不少于2篇文章入选。

 

       ISPSD(国际功率半导体器件和集成电路研讨会)是国际半导体电力电子器件及集成电路领域规模最大、影响力最强的顶级国际学术会议之一,一年一度的ISPSD会议一直以来都是国内外产业界和学术界百家争鸣的国际舞台。自1988年初创以来,过去的29届ISPSD会议分别在北美、欧洲、日本及其它区域轮流举办。令人振奋的是, 2019年ISPSD会议将在中国上海举办,由浙江大学盛况教授担任该届会议的大会主席。这将是该会议自1988年发起以来首次在中国大陆举办,标志着我国电力电子器件的研究和产业水平在国际上产生了越来越重要的影响力,也说明中国大陆学者在本领域扮演和承担着重要的角色。

 

       ISPSD会议议题分为以下六个方向:1)氮化镓与氮化物器件,2)碳化硅与其他宽禁带半导体器件,3)高压硅基功率器件,4)低压功率器件,5)功率集成电路和6)模块与封装工艺。在六大议题中,前面两个议题,也即以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体(即第三代半导体)器件以其独特优势在近年来引发了国内外产业界和学术界的关注,在材料生长、制造工艺与应用等领域蓬勃发展,被认为是下一代电力电子器件和功率集成电路的重要发展方向。凭借其优异的性能(如更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和速率和更优异的抗辐射能力),宽禁带半导体电力电子器件在新能源汽车、分布式并网、新型直流输配电网、数据中心、航空航天和消费类电子等诸多领域都有着广泛的应用前景。

 

       自上世纪90年代起,美、日、欧等国家和地区积极进行战略部署,对宽禁带材料、器件、封装、应用的全产业链进行了重点投入和系统布局,全力抢占该技术与产业战略制高点。近年来,我国在该领域也不断加大在人才培养、科学研究和产业发展等各方面的支持和投入,奋起直追,科研技术和产业水平得到快速提高,在国际该行业中的地位和影响力也逐渐提升。

 

       浙江大学电气工程学院的电力子器件团队(PEDL)自2010年成立以来,一直致力于开展碳化硅和氮化镓电力电子器件的研究,成功自主研制出了碳化硅超级结肖特基二极管、JBS二极管、结型场效应晶体管、常关型氮化镓晶体管和垂直型氮化镓二极管,开发出了容量领先的碳化硅肖特基二极管模块、碳化硅结型场效应开关管模块以及碳化硅MOSFET功率模块。此外,团队还在基于宽禁带器件的电力电子变压器、DC-DC变换器、PFC、充电桩等应用方向开展了一系列研究工作。

 

       随着研发投入、技术创新以及产业结构的升级,宽禁带半导体材料、电力电子器件和应用将继续引领我国高新技术产业,浙江大学电力电子器件团队也将潜心砥砺,在国家高新技术和产业发展中贡献学术和技术支持。

 

来源:浙江大学电气工程学院

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